图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:8735 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||
#2 |
数量:8735 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||
#3 |
数量:1793 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 200 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 700mV @ 100mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 140 @ 100mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 频率转换 | 150MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO-126ML |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-126ML |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 140@100mA@2V |
| 最大工作频率 | 150(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.7@100mA@2A V |
| 最大集电极基极电压 | 60 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bag |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 150(Typ) |
| 包装宽度 | 3.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | TO-126ML |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 8 |
| 包装高度 | 11 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Bag |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 100mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | TO-126ML |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 140 @ 100mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 350 mV |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 系列 | 2SB1143 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 10 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 4 A |
2SB1143S也可以通过以下分类找到
2SB1143S相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家